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Prestazione

Capacità SSD:

250 GB

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Interfaccia Solid State Drive (SSD):

Serial ATA III

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Velocità di lettura:

540 MB/s

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Velocità di scrittura:

520 MB/s

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Dimensioni di buffer del drive:

512 MB

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Velocità di trasferimento dati:

6 Gbit/s

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Random read (4KB):

97000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

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Random write (4KB):

70000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

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Algoritmi di sicurezza supportati:

256-bit AES

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S.M.A.R.T. support:

Si

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TRIM support:

Si

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MTBF:

1500000 h

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Design

Interno:

Si

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Fattore di forma dell'unità SSD:

2.5"

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Colore del prodotto:

Nero

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Gestione energetica

Consumo di energia (in lettura):

0,1 W

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Consumo di energia (in scrittura):

0,1 W

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Power consumption (idle):

0,045 W

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Condizioni ambientali

Intervallo temperatura di funzionamento:

0 - 70 °C

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Intervallo di temperatura:

40 - 85 °C

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Umidità:

5 - 95%

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Shock di non-funzionamento:

1500 G

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Vibrazione di non-funzionamento:

20 G

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Software

Sistema operativo Windows supportato:

Si

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Dimensioni e peso

Larghezza:

6,99 cm

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Profondità:

10 cm

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Altezza:

6,8 mm

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Descrizione del fabbricante

Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.
Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).
Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.
Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).
Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.
L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.
Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.
Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

Informazioni sul prodotto